针对上述情况，美光上周宣布将减产 DRAM 和 NAND Flash，成为首家正式降低产能利用率计划的主要内存厂商。铠侠也紧随美光宣布，自 10 月起将 NAND Flash 产能利用率降低 30%。
DRAM方面，目前合约定价仍高于各主流供应商的总生产成本。因此，与NAND Flash相比，是否会出现大幅减产还有待观察。除了提到目前该领域产能利用率略有下降外，美光主要强调其对 2023 年资本支出的大幅下调，明年 DRAM 生产位元的年增长率仅为 5% 左右。集邦咨询认为，美光认为，实现如此保守的位元增长，意味着产能利用率仍有大幅下调的空间，美光后续减产落实到何种程度仍有待观察。
在 NAND Flash 方面，美光原本计划从 22 年 4 季度开始逐步提高 232 层产品的比例。不过随着公司减产决定的落实，预计2023年美光的主流制程仍以176层产品为主，而传统制程的晶圆开工率也会下降。铠侠和 WDC 原计划从 22 年第 4 季度开始迁移到 162 层产品，但 WDC 在 2023 年放缓了资本支出。在资金难以获得且需求可见性不佳的情况下，162 层产品的比例将大幅下降，公司原计划2023年替代主流112层产品将无法实现。
2023 年内存市场供需情况来看，由于需求前景保守，DRAM 和 NAND Flash 各季度均出现严重供过于求，明年上半年库存压力将继续加速。
DRAM 领域，在美光率先宣布 DRAM 减产计划远低于供给侧位增长的历史水平后，2023 年 DRAM 充足率将从 TrendForce 此前预测的 11.6% 收缩至不足 10 %，有助于缓解迅速恶化的库存压力。但是，未来必须依靠更多的供应商参与到实际的DRAM减产中，才能扭转明年的供需失衡。
